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開關電源適配器的功率損耗包括什么?

文章出處:網責任編輯:作者:人氣:-發表時間:2014-01-03 19:47:00【

我們經常會遇到這個問題,明明是按這個功率設計的了,為什么設計好了,一測試,功率好像就是不足呢?還有的功率跑哪去了呢?下面小編跟你來一起學習一下吧?

一般情況下開關電源適配器的的功率損耗包括3部分:傳輸損耗、開關損耗和其他損耗。

一、什么是開關電源的傳輸損耗?

傳輸損耗由兩部分組成。第一部分是由MOSFET的通態電阻RDS(ON)而引起的傳輸損耗,也稱導通損耗。例如早期產品TOP227Y的RDS(ON)=2.6Ω(典型值,下同),新產品TOP262的RDS(ON)≤0.90Ω,通態電阻越小,傳輸損耗就越低.第二部分是電流檢測電阻RS的損耗.

二、什么是開關電源的開關損耗?

開關損耗包括MOSFET的電容損耗和開關交疊損耗.這里講的電容損耗也稱CU2F損耗,是指儲存在MOSFET輸出電容Coss和高頻變壓器分布電容上的性能,在每個開關周期開始時泄放掉而產生的損耗。交疊損耗是由于MOSFET存在開關時間而產生的。在MOSFET的通、斷過程中,由于有效的電壓和電流同時作用于MOSFET,致使MOSFET的開關交疊時間較長而造成損耗。單片開關電源內部增加了米勒(Miller)電容,使用MOSFET的開關速度很快,其交疊損耗僅為分立開關電源的1/10左右,可忽略不計。

那除了上面的兩點,開關電源還有什么其他的損耗?

三、開關電源還包括以下損耗:

1)啟動電路的損耗。開關電源內部有啟動電路,當芯片被啟動后即自行關斷,因此在轉入正常工作之后就沒有損耗。PWM控制器需接外部啟動電路,會導致一定的功耗。

2)PWM控制器的損耗。PWM控制器的損耗,包括控制電路本的損耗以及控制驅動MOSFET的功耗。

3)輸入整流橋的損耗約占開關電源總功耗的2%。低壓大電流輸出時,輸出整流管的損耗可占開關電源總功耗的10%以上。

4)漏極鉗位保護電路的損耗為1~1.2W.

5)高頻變壓器的磁心損耗(隨開關頻率升高而增大),繞組導線的集膚效應損耗.

6)其他電路的損耗.包括EMI濾波器中的限流電阻(NT-CR)和X電容器的泄放電阻、輸入整流橋、輸入濾波器、輸出濾波器、反饋電路的損耗之和。

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小村杜明